第三代半導(dǎo)體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門(mén)召開(kāi)，詳見(jiàn)后文

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8月3日，微導(dǎo)納米披露最新調(diào)研紀(jì)要稱，公司半導(dǎo)體 ALD 設(shè)備的應(yīng)用場(chǎng)景均代表國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體各細(xì)分領(lǐng)域的工藝多元化發(fā)展方向，在邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片、新型顯示芯片、化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域均有設(shè)備訂單，并逐步推動(dòng)在客戶端驗(yàn)證或驗(yàn)收。

公司基于客戶關(guān)鍵工藝開(kāi)發(fā)的戰(zhàn)略需求推出的 iTronix? 系列 CVD 設(shè)備，是微導(dǎo)納米基于客戶關(guān)鍵工藝開(kāi)發(fā)的戰(zhàn)略需求，自主研制的新產(chǎn)品系列；適用于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅等多種薄膜的沉積工藝，可廣泛應(yīng)用于邏輯、存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝、顯示器件以及化合物半導(dǎo)體等領(lǐng)域芯片制造。

在半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)，微導(dǎo)納米是國(guó)內(nèi)首家成功將量產(chǎn)型 High-k 原子層沉積（ALD）設(shè)備應(yīng)用于 28nm 節(jié)點(diǎn)集成電路制造前道生產(chǎn)線的國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商，已與國(guó)內(nèi)多家廠商建立了深度合作關(guān)系，相關(guān)產(chǎn)品涵蓋了邏輯、存儲(chǔ)、化合物半導(dǎo)體、新型顯示等諸多細(xì)分應(yīng)用領(lǐng)域，多項(xiàng)設(shè)備關(guān)鍵指標(biāo)達(dá)到先進(jìn)水平。

微導(dǎo)納米稱，公司作為國(guó)內(nèi)薄膜沉積設(shè)備供應(yīng)商，可以根據(jù)下游企業(yè)的實(shí)際需求，針對(duì)客戶的工藝和薄膜性能需求快速響應(yīng)，及時(shí)滿足客戶產(chǎn)線需求。公司技術(shù)服務(wù)體系健全，為客戶提供及時(shí)的駐廠技術(shù)服務(wù)支持，及時(shí)到達(dá)現(xiàn)場(chǎng)排查故障、解決問(wèn)題，保證快速響應(yīng)客戶的需求，縮短新產(chǎn)品導(dǎo)入的工藝磨合時(shí)間。

在訂單方面，微導(dǎo)納米表示，目前公司在手訂單充裕，為滿足快速增長(zhǎng)的訂單交付需要，公司通過(guò)在供應(yīng)鏈、生產(chǎn)制造、內(nèi)部管理方面的多舉措優(yōu)化提升保障產(chǎn)品按期交付，縮短交期，保障交付。

其指出，隨著摩爾定律不斷演化，集成電路的特征尺寸及刻蝕溝槽不斷微縮，晶圓制造復(fù)雜度和工序量大幅度提升，ALD 等先進(jìn)真空薄膜技術(shù)在半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程中扮演越來(lái)越重要的角色。終端應(yīng)用需求增長(zhǎng)、進(jìn)口替代和自主可控等因素驅(qū)動(dòng)了國(guó)內(nèi)晶圓廠逆周期擴(kuò)產(chǎn)和工藝迭代升級(jí)，加速了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)頭部客戶對(duì)國(guó)產(chǎn) ALD 設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證。

作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備供應(yīng)商，微導(dǎo)納米將持續(xù)加速半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)各細(xì)分領(lǐng)域的產(chǎn)品研發(fā)、產(chǎn)業(yè)驗(yàn)證和應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)多項(xiàng)薄膜沉積和處理技術(shù)國(guó)產(chǎn)化、產(chǎn)業(yè)化的突破，在保持 ALD 產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力和占有率的同時(shí)，不斷推出更多具備競(jìng)爭(zhēng)力的例如 CVD 等薄膜沉積系列產(chǎn)品。

來(lái)源：集微網(wǎng)

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的核心材料，在《“十四五”規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》中被列為重點(diǎn)；碳中和與新能源體系變革的背景下，在風(fēng)電、光伏、新能源汽車(chē)、儲(chǔ)能等行業(yè)應(yīng)用前景廣闊。

據(jù)行業(yè)機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，到2026年，碳化硅產(chǎn)品市場(chǎng)將達(dá)35億美元，氮化鎵功率產(chǎn)品市場(chǎng)需求增長(zhǎng)到21億美元。近年來(lái)，國(guó)內(nèi)企業(yè)如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等不斷布局氮化鎵項(xiàng)目，全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目約26個(gè)，國(guó)外龍頭如英飛凌等也正積極布局。

在碳化硅功率器件市場(chǎng)，受益于特斯拉的應(yīng)用需求，意法半導(dǎo)體領(lǐng)先全球市場(chǎng)；Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商跟隨。襯底、外延、芯片三個(gè)環(huán)節(jié)技術(shù)含量密集，是投資和創(chuàng)新重點(diǎn)。碳化硅6英寸襯底技術(shù)已經(jīng)穩(wěn)定導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)，8英寸襯底正在探索商業(yè)化量產(chǎn)，其中尤以襯底大廠Wolfspeed推進(jìn)最為迅速，國(guó)內(nèi)企業(yè)在提供樣品或小規(guī)模供貨階段。

第三代半導(dǎo)體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門(mén)召開(kāi)。重點(diǎn)關(guān)注碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈前景，最新襯底、外延、器件技術(shù)與項(xiàng)目投資，碳化硅、氮化鎵長(zhǎng)晶技術(shù)，凈化工程與EPC，新興化合物半導(dǎo)體前沿技術(shù)與應(yīng)用。參觀第三代半導(dǎo)體重點(diǎn)企業(yè)與項(xiàng)目。

會(huì)議主題包括但不限于

國(guó)際形勢(shì)對(duì)中國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展的影響

第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇

6寸與8寸SiC項(xiàng)目投資與市場(chǎng)需求

SiC長(zhǎng)晶工藝技術(shù)與設(shè)備

凈化工程與EPC工程項(xiàng)目實(shí)踐

8英寸SiC國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程和技術(shù)突破

SiC市場(chǎng)以及技術(shù)發(fā)展難題&解決方案

SiC與GaN外延片技術(shù)進(jìn)展

大尺寸GaN長(zhǎng)晶難點(diǎn)及技術(shù)展望

GaN材料技術(shù)進(jìn)展

SiC與GaN器件與下游應(yīng)用

功率器件封裝技術(shù)與材料

新興化合物半導(dǎo)體進(jìn)展：氧化鎵、氮化鋁、金剛石、氧化鋅

工業(yè)參觀與考察（重點(diǎn)企業(yè)或園區(qū)）

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中國(guó)大陸半導(dǎo)體大硅片項(xiàng)目表（月度更新）

中國(guó)大陸再生晶圓項(xiàng)目表（月度更新）

中國(guó)大陸8英寸晶圓廠項(xiàng)目表（月度更新）

中國(guó)大陸12英寸晶圓廠項(xiàng)目表（月度更新）

中國(guó)大陸半導(dǎo)體封測(cè)項(xiàng)目表（月度更新）

中國(guó)大陸電子特氣項(xiàng)目表（月度更新）

中國(guó)大陸半導(dǎo)體濕電子化學(xué)品項(xiàng)目表（月度更新）

中國(guó)大陸晶圓廠當(dāng)月設(shè)備中標(biāo)數(shù)據(jù)表（月度更新）

中國(guó)大陸上月半導(dǎo)體前道設(shè)備進(jìn)口數(shù)據(jù)表（月度更新）

中國(guó)大陸半導(dǎo)體大硅片項(xiàng)目地圖（月度更新）

中國(guó)大陸8英寸晶圓廠項(xiàng)目地圖（月度更新）

中國(guó)大陸12英寸晶圓廠項(xiàng)目地圖（月度更新）

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